（1）首先来一些旧闻／websearch，简要摘如下，再行熟知下本文背景情况：紫外LED一般指闪烁中心波长在400nm以下的LED，但有时将闪烁波长小于380nm时称作将近紫外LED，而短于300nm时称作浅紫外LED。因短波长光线的杀菌效果低，因此紫外LED常用于冰箱和家电等的杀菌及除臭等用途。UVA／UVB／UVC的波长分类不赘述了，而且笔者习惯于写UV－c，按照目前的通讯惯例。

（意外的是很多地方都写UV－C，orUVC，etc．）405nmBlu－rayDisk“蓝光”光盘的标准激光读取波长，也是种将近紫外光。265nm–280nmUV－cband。产品方面，日亚化学工业上市了闪烁中心波长从365nm～385nm平均的品种，NitrideSemiconductor上市了闪烁中心波长为355nm～375nm平均的品种。

波长严重不足300nm的浅紫外LED的研发活动也很活跃。2008年理化学研究所和松下电工曾发布，使用GaN类半导体的InAlGaN四元化合物半导体研发出有了闪烁中心波长为282nm，光输出功率为10mW的浅紫外LED。

波长更加较短的浅紫外LED方面，NTT物性科学基础研究所使用AlN材料研发出有了闪烁中心波长为210nm的浅紫外LED。美国南卡罗莱纳州立的AsifKhan教授小组曾在AlGaN深紫外LED的研究方面（外延与器件工艺）做出很多早期开创性工作。（右图是其代表性器件结构。

）目前，釜山Viosys、中科潞安、青岛杰生（由马鞍山圆融并购）、深圳了乐队、武汉优炜星、美国Bolb等有UV－cLED产品，但广泛光效（外量子效率）尚需更进一步提高。旭宇、国星、鸿利等有若干UVLED的PCB产品。欧司朗与AlN单晶基板供应商HexaTech公司签订两项战略协议。

这些协议还包括长年供应协议和若干HexaTech的知识产权（IP）许可，其中，前者牵涉到作为HexaTech公司2英寸（直径）基板研发项目的氮化铝（AlN）基板。此举有助欧司朗加快其基于HexaTech材料的UV－cLED器件研发，使欧司朗沦为主要的高性能光电技术提供商，获取从深紫外波长到红外波长的各种产品。日本化学大厂德山与日本电气设备大厂斯坦利电气要求，在深紫外线LED领域不断扩大合作，德山保持浅紫外线LED材料研发，而晶圆生产、PCB、与产品生产销售等业务，由StanleyElectric负责管理。德山的浅紫外线LED晶圆生产线及专利，皆出让给StanleyElectric。

台湾LED厂光鋐与专晶预计共计两组品牌，进占杀菌UV－cLED市场，双方已开始利用新的合资品牌不断扩大行销。2017年台塑石化宣告与日商日机装（Nikkiso）联手发展UVLED事业，生产浅紫外光LED（DeepUVLED）晶粒及销售浅紫外光应用于产品，该合作案将探讨水杀菌、空气杀菌、树脂烧结及分析设备等。

……manyothermorenewsonthewebpage～（2）应用于背景讲解紫外LED（UVLED）主要应用于在生物医疗、防伪检验、净化（水、空气等）除菌杀毒软件领域、计算机数据存储和军事（如LiFi不可见光保密通信）等方面。而且随着技术的发展，新的应用于还不会大大经常出现以替代原先的技术和产品。

紫外LED具有辽阔的市场应用于前景，如紫外LED光疗仪是未来很热门的医疗器械，但是目前技术还正处于成长期。传统紫外光源与灯具厂商如下：传统紫外光源为HID灯。UVLED要几乎更换传统紫外光源，在效率、性价比等方面还有很长一段路要回头。

目前尤其是UV－c深紫外LED的效率，总体上类似于2000年前后蓝蓝光LED的水平。（3）InN，GaN，AlN紫外与蓝绿LED的带隙问题（外延涉及）InN、GaN、AlN皆为必要带上隙半导体，禁带宽度分别为1．9eV，3．4eV，6．2eV。一般蓝绿光LED为InxGa1－xN有源闪烁区，力突发事件compressivestrain·465nm蓝光In组分大约为20％＋·525nm绿光In组分大约为30％＋·265nm的AlxGa1－xN有源闪烁区，张突发事件tensilestrainAl组分大约为70％＋／－力突发事件、张突发事件与能带工程，外延层内的突发事件掌控，是门大学问！还有AlGaN／GaN多量子阱有源区的载流子流经、输送与外泄等问题。

（4）UVLED的外延与芯片问题半导体浅紫外光源在灯光、杀菌、医疗、印刷、生化检测、高密度的信息储存和保密通讯等领域具备根本性应用于价值。以AlGaN材料为有源区的浅紫外LED的闪烁波长需要覆盖面积210nm－365nm的紫外波段，是构建该波段浅紫外LED器件产品的理想材料，具备其它传统紫外光源无法比拟的优势。

基于MOCVD的浅紫外LED外延材料和芯片器件研究工作，需侧重解决问题材料不存在的表面裂纹、晶体质量劣、铝组分较低、无法构建较短波长闪烁和结构材料设计、芯片工艺等问题。材料是器件性能的基础与核心突破点。MOCVD反应室Reactor中Al的“记忆”效应，memoryeffect，这个感叹记忆深刻印象、乃至可以说道刻骨铭心！？？OELAB的MOCVD师兄弟们～毕竟如果看见此节必定是会心一笑。

低Al组分下的突发事件掌控是关键。UVLED的欧姆认识电极制作工艺也是很crucial的～随之而来的是电流拓展spreading／electrodesdesign，又要不遮阳、又要均匀分布流经～FlipChipdesignseemstobethemainstreamarchitecture～（5）UVLED的PCB主要问题由于此前作为PCB材料用于的环氧类树脂材料在紫外光的起到下，更容易经常出现树脂性能好转的现象，造成透明性减少，从而使得LED亮度也随之减少。

因此，为了解决问题LEDPCB器件因紫外光而经常出现的性能好转现象，在PCB过程中使用了不用于树脂材料的方法。通过将LED芯片取出金属封装内，不用于任何其他PCB材料而必要用金属壳体及玻璃等盖挡住。（这种方法此前仍然在GaN类蓝紫色半导体激光器中使用。

）UVLED的PCB还有很多其他trick之处。（6）UVLED的专利详细搜寻刚刚搜寻了下，UVLED涉及的美国专利有将近60，000条。前文谈到的AsifKhan这位老兄有186条。

近期的23条：早期的“大杀器”有：呵呵，诸君需希望，科学知识就是力量啊！？？（7）……（tobecontinued！）匆忙成文，聊博一大笑，以期抛砖引玉，引同好共计希望！。

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